iND83215

芯片介绍

 

集成ARM M0核

提供48K Flash以及8K SRAM

内置高压LDO,支持6V到18V输入电压范围

内置 LIN 主机和 LIN 从机,支持自动寻址

3通道60mA的高压恒流源

可实现低至50uA的休眠电流

支持16位 PWM调光,PN电压检测,温度传感器,12位SAR ADC

6到10路GPIO,支持 SPI、UART、PWM、ADC、电容触控

支持QFN24 4*4mm及QFN20 4*4mm封装

主要应用: 氛围灯照明控制器,触控阅读灯等

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